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被动元件巨擘日本村田制作所(MurataManufacturingCo.Ltd.)宣告以4.71亿美元并购无晶圆厂RFIC制造商PeregrineSemiconductorCorp.，这项交易不仅使村田获得Peregrine先进设备的RF-SOI制程技术，并有助使其在拓展RF元件与无线业务之路迈进最重要的一步。　　专精于生产RF模组与滤波器的村田制作所将有机会获得Peregrine先进设备的RF-SOI绝缘上覆矽制程技术以及RF前端性能，以及还包括180项(申请人与申请人中)专利的普遍IP产品组合。Peregrine则将沦为村田制作所的全资子公司，这项并购交易将有助减缓其推展普遍使用整合型全CMOSRF前端的目标。

　　这项交易将为两家公司带给极大的潜在机会。彼此的核心能力具备很强的互补性。村田制作所主导着全球滤波器与PCB技术，而Peregrine则在RF-SOI技术与RF产品占到主导地位，Peregrine行销副总裁DuncanPilgrim回应。

　　他并补足说道，两家公司的融合，还有望在通讯、汽车以及消费电子市场带给拆分综效，使得拆分后的新公司以求在这些市场拓展业务范围。　　两家公司并非首度合作。事实上，村田正是Peregrine的仅次于客户，多年来仍然许可Peregrine的专利与UltraCMOS技术。

去年，村田表示同意向Peregrine订购其RF电源与元件，以交换条件出售或生产其RFCMOSIP的许可。村田还想融合Peregrine的电源人组、使用蓝宝石上覆矽(SOS)生产的可回声元件──更加便宜的RFSOI，以及村田的滤波器与PCB技术，打造出一款更加原始的RF前端解决方案。　　Peregrine的UltraCMOSRFIC的生产使用SOS技术或增强型SOI作为绝缘基底。

Peregrine基于SOS的RF晶片使用南韩Magnachip的代工生产。然而，Peregrine最近于是以推展其低成本的RF-SOI制程，开始在其代工夥伴GlobalFoundries出样其首批使用UltraCMOS10RFSOI技术制程生产的RF电源。UltraCMOS10RFSOI技术使用GlobalFoundries基于200mm晶圆的130nm制程技术。　　该公司最近还发售了首款可重配备RF前端UltraCMOSGlobal1，利用为全球市场建构出有一款单一SKU设计，让4GLTE平台供应商和OEM以求大幅度降低成本。

利用使用Peregrine的RF前端能力与SOI制程技术，有望为村田打造出更加原始的RF供应链，使其有潜力沦为针对智慧型手机与无线装置市场供应RF元件的主要供应商之一。　　RF产业持续迈进整并，Peregrine与村田的客户于是以为其RF设计市场需求找寻一站式解决方案，Pilgrim说道。　　事实上，RF晶片市场于是以经历前所未有的整并。

例如，TriQuintSemiconductor和RFMicroDevices(RFMD)这两家主要的晶片公司在今年稍晚宣告以16亿美元仅有股票方式拆分，预计将建构出有一家无线元件巨擘，需要因应修改手执与设备设计市场需求获取所有关键RF建构模组。此外，美商亚德诺(AnalogDevicesInc.;ADI)也在去年6月以20亿美元现金并购RF晶片制造商HittiteMicrowaveCorp.，更进一步拓展其RF业务。

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